图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
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| 标准包装 | 2,500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 11A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 107 mOhm @ 8A, 5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 11.3nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 350pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 38W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252AA |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 动态目录 | N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16104?mpart=RFD3055LESM9A&vendor=261&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称； |
| 包装 | 3DPAK |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 11 A |
| RDS -于 | 107@5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±16 V |
| 典型导通延迟时间 | 8 ns |
| 典型上升时间 | 105 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 典型下降时间 | 39 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 最大门源电压 | ±16 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | DPAK |
| 最低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 最大漏源电阻 | 107@5V |
| 最大漏源电压 | 60 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | DPAK |
| 最大功率耗散 | 38000 |
| 最大连续漏极电流 | 11 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 11A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 供应商设备封装 | TO-252AA |
| 其他名称 | RFD3055LESM9ATR |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 107 mOhm @ 8A, 5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 38W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 60V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 350pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 11.3nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 11 A |
| 封装/外壳 | TO-252AA |
| 零件号别名 | RFD3055LESM9A_NL |
| 下降时间 | 39 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 单位重量 | 0.009184 oz |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 源极击穿电压 | +/- 16 V |
| 系列 | RFD3055LESM |
| RDS（ON） | 107 mOhms |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 38 W |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 上升时间 | 105 ns |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 漏极电流（最大值） | 11 A |
| 频率（最大） | Not Required MHz |
| 栅源电压（最大值） | �16 V |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 噪声系数 | Not Required dB |
| 漏源导通电阻 | 0.107 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 包装类型 | DPAK |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏极效率 | Not Required % |
| 漏源导通电压 | 60 V |
| 功率增益 | Not Required dB |
| 弧度硬化 | No |
| Continuous Drain Current Id | :11A |
| Drain Source Voltage Vds | :60V |
| On Resistance Rds(on) | :0.107ohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :5V |
| Threshold Voltage Vgs | :1V |
| No. of Pins | :3 |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412900 |
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